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淺談微電子技術(shù)的發(fā)展歷史
日期：2025-09-06 09:45
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摘要：1947年晶體管的發(fā)明；到1958年前后已研究成功一這種組件為基礎(chǔ)的混合組件；
1958年美國的杰克.基爾比發(fā)明了**個鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個集成電路產(chǎn)品，即多諧振蕩器的誕生，它可用作二進制計數(shù)器、移位寄存器。它包括2個晶體管、4個二極管、6個電阻和4個電容，封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內(nèi)，厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時代的意義，它掀開了半導體科學與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實際應(yīng)用的金屬氧化物—半導體場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field effect tran...
1947年晶體管的發(fā)明；到1958年前后已研究成功一這種組件為基礎(chǔ)的混合組件；
1958年美國的杰克.基爾比發(fā)明了**個鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個集成電路產(chǎn)品，即多諧振蕩器的誕生，它可用作二進制計數(shù)器、移位寄存器。它包括2個晶體管、4個二極管、6個電阻和4個電容，封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內(nèi)，厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時代的意義，它掀開了半導體科學與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實際應(yīng)用的金屬氧化物—半導體場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET）。
1962年生產(chǎn)出晶體管——晶體管邏輯電路和發(fā)射極耦合邏輯電路；由于MOS電路在高度集成和功耗方面的優(yōu)點，70年代，微電子技術(shù)進入了MOS電路時代；隨著集成密度日益提高，集成電路正向集成系統(tǒng)發(fā)展，電路的設(shè)計也日益復雜、費事和昂貴。實際上如果沒有計算機的輔助，較復雜的大規(guī)模集成電路的設(shè)計是不可能的。
以上知識您知道了嗎？
1958年美國的杰克.基爾比發(fā)明了**個鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個集成電路產(chǎn)品，即多諧振蕩器的誕生，它可用作二進制計數(shù)器、移位寄存器。它包括2個晶體管、4個二極管、6個電阻和4個電容，封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內(nèi)，厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時代的意義，它掀開了半導體科學與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實際應(yīng)用的金屬氧化物—半導體場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET）。
1962年生產(chǎn)出晶體管——晶體管邏輯電路和發(fā)射極耦合邏輯電路；由于MOS電路在高度集成和功耗方面的優(yōu)點，70年代，微電子技術(shù)進入了MOS電路時代；隨著集成密度日益提高，集成電路正向集成系統(tǒng)發(fā)展，電路的設(shè)計也日益復雜、費事和昂貴。實際上如果沒有計算機的輔助，較復雜的大規(guī)模集成電路的設(shè)計是不可能的。
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